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目前大功率LED 特别是白光LED已产业化并推向市场,并向普通照明市场迈进。由于LED 芯片输入功率的不断提高,对这些功率型LED 的封装技术提出了更高的要求。 功率型LED 封装技术主要应满足以下二点要求:一是封装结构要有高的取光效率,其二是热阻要尽可能低。对于大工作电流的功率型LED芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型LED 器件的技术关键。 锡膏一般用于金属之间焊接,其导热系数为67W/m?K左右,远大于现在通用的导电银胶。因此,在LED晶圆封装等领域**细锡膏可代替现有的导电银胶和导热胶等封装材料,从而实现更好的导热效果,且大大降低封装成本。 EVENST 通过长时间的研发和测试,已经开发出了具有高触变性、 低粘度的LED固晶用锡膏。该锡膏不仅热导率高、电阻小、传热快,能满足LED芯片的散热需求,而且固晶质量稳定,焊接机械强度高,能有效**固晶的**性。其具体特性参数如下: 热导率: 固晶锡膏主要合金SnAgCu的导热系数为67W/m?K左右,电阻小、传热快,能满足LED芯片的散热需求(通用的银胶导热系数一般为1.5-25W/m?K)。 晶片尺寸: 锡膏粉径为10-25μm(5-6#粉),能有效满足5 mil-75 mil(0.127-1.91mm)范围大功率晶片的焊接。 固晶流程: 备胶--取胶和点胶--粘晶--共晶焊接。固晶机点胶周期可达240ms,粘晶周期150ms,固晶速度快,产率高。 焊接性能: 可耐长时间重复点胶,焊点饱满光亮,空洞率小于5%,固晶**性好,质量稳定。 触变性: 采用粒径均匀的**细锡粉和高触变性的助焊膏,触变性好,不会引起晶片的漂移,低粘度,为10000-25000cps,可根据点胶速度调整大小。 残留物: 残留物较少,将固晶后的LED底座置于恒温箱中240小时后,残留物及底座金属不变色,且不影响LED的发光效果。 机械强度: 焊接机械强度比银胶高,焊点经受10牛顿推力而无破坏和晶片掉落现象。 焊接方式: 回流焊或台式回流焊,将回流炉的温度直接设定在合金共晶温度焊接即可,焊接固晶过程可在5min内完成,而银胶一般为30min,减少了固晶能耗。 合金选择: 客户可根据自己固晶要求选择合适的合金,SnAg3Cu0.5无铅锡膏满足ROHS指令要求,SnSb10熔点为245-250℃,满足需要二次回流的LED封装要求,其热导率与合金SnAgCu0.5接近。 成本比较: 满足大功率LED导热散热需求的键合材料中,固晶锡膏的成本远远低于银胶、银浆和Au80Sn20合金,且固晶过程节约能耗。